金ナノギャップ抵抗スイッチメモリーの高温動作特性におけるパラジウム添加の効果

抄録

ナノギャップ抵抗スイッチは、高温環境下で利用できる不揮発性記憶素子の有力な候補です。従来の金ナノギャップ電極は300℃程度以上の高温では動作しなかった。本研究は、共蒸着でパラジウムを微量添加することで、金ナノギャップ電極が、600℃高温でも安定して抵抗スイッチングすることを明らかにした。この電極は、高温動作可能な白金ナノギャップ電極に比べ、作製時の結晶制御が不要でありながら、同等の高温で動作する。