Photodiodeを用いたシンチレーション検出器用低ノイズプリアンプの開発とその応用

抄録

電荷増幅器の入力部はFET4段で構成されている。受光面が10mm平方のPD (photodiode) を
付けた時, S/N比は等価雑音電荷で1.1×10^-16C (FWHM) であった。CsI (Tl) と組み合わせると60keVγ線が測定可能となる。この場合のエネルギー分解能は約42% (FWHM) であった。
ZnS (Ag) と受光面が18mm平方のPDを用いると, 検出部の大きいα線検出器ができる。