走査型トンネル顕微鏡による微細デバイス構造のナノ評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)

抄録

微細化の著しいシリコンデバイスをナノスケールで評価する手法の開発が望まれている.その一つとして,原子分解能を有する走査型トンネル顕微鏡scanning tunneling microscopy: STM)法を提案している.本稿では,STM法によりシリコンデバイスを評価する上で必要となる表面処理法について簡単に述べた後,シリコン基板表面に形成した微細pn接合とトランジスタ断面をナノスケールで評価した結果について述べる.