Snウィスカの発生メカニズム(デンドライトとウィスカ)

抄録

Snめっき膜から成長するSnウィスカは,1950年代より,電子機器の信頼性に対して,大きな影響を与えることが判っていたが,Sn-Pbを採用することにより,課題で無くなっていた.しかし1990年代のRohs規制による鉛フリー化と急速に進んだ高密度実装により,実装上の最重要課題に再浮上した.ウィスカは様々な応力によって発生することは当時より既知であったが,近年の詳細な研究結果も踏まえ,(1)内部応力型と(2)外部応力型があり,内部応力型では,腐食・金属間化合物の成長・更には材料間の熱膨張係数の差等が,影響していることが判り,また外部応力型は発生の系が複雑であるが,基本的には金属間化合物とめっき膜,それらに加え外部印加応力により成長する事が明らかになってきた.ミクロレベルでの結晶解析能力や,シミュレーション技術,原子レベルでの元素の挙動観察が可能となったことにより,現象をシミュレーションで再現できる技術も提案されており,ほぼ事前評価可能な状況になってきている.