抄録
水素は酸化膜バルク中に1.5×(10)^<19>/(cm)^3、界面遷移層には1×(10)^<14>/(cm)^2存在することがわかった。LSIの長期信頼性を左右する負電圧温度不安定性(NBTI)と水素との関係を調べた結果、ゲート酸化膜中の水素がNBTIに伴ってSiO_2/Si界面にマイグレーションすることが観察され、水素がNBTIに直接関与することを明らかにした。さらPost-Oxidation Annealing (POA)は水素の界面局在を抑制してNBTI耐性を改善することが確認された。
