抄録
OBIRCH法では、レーザビームでLSIチップ上を走査しながら加熱した際の配線などの抵抗変化を画像化することにより、電流経路や各種欠陥が可視化できる。IR-OBIRCH法は、LSIチップ裏面側からの解析が可能なため、応用範囲はさらに広い。LSIテスタとのリンクによりI_<DDQ>異常LSI、さらには多くの機能不良LSIの解析も可能となった。銅配線のエレクトロマイグレーション試験結果の解析、プロセス開発での欠陥解析にも使われている。派生技術も有効に使われている。検出限界、感度向上策なども議論が始まり、将来に向けた対策にも道が見えてきている。
