化学工学会 研究発表講演要旨集
化学工学会第42回秋季大会
セッションID: N320
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微小領域選択MOVPEを用いたSi上InGaAsの形状均一化に向けたSi表面状態とInAs成長の関係
*出浦 桃子近藤 佳幸竹中 充高木 信一霜垣 幸浩中野 義昭杉山 正和
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キーワード: MOVPE, heteroepitaxy, InGaAs on Si
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© 2010 社団法人 化学工学会
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