構造欠陥を導入したZr-MOFによる光触媒的過酸化水素生成

抄録

本研究ではアミン修飾Zr-MOFであるUiO-66-NH₂の構造内に欠陥サイトを有する光触媒材料を調製し、光触媒的過酸化水素生成反応へ応用した。構造欠陥を有するUiO-66-NH₂はソルボサーマル合成時に酢酸を添加することにより調製した。熱重量分析から、酢酸添加量に応じて、触媒内に欠陥サイトが導入されていることが確認された。本触媒を用いて、光照射下で過酸化水素生成反応を行ったところ、過酸化水素生成量は従来のUiO-66-NH₂よりも大幅に向上することが分かった。