表面技術
Online ISSN : 1884-3409
Print ISSN : 0915-1869
ISSN-L : 0915-1869
速報論文
Atomic Hydrogen Annealing of Gate Dielectric in Pentacene Organic Thin-Film Transistors
Akira HEYA, Masahiko SATO, Hiroshi HASEGAWA, Naoto MATSUO
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キーワード: Atomic Hydrogen, Atomic Hydrogen Annealing, Surface Treatment, Organic Thin-Film Transistor, Pentacene
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2010 年 61 巻 7 号 p. 548

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