分子動力学法を用いた計算化学的手法により,Si(100)ウェハ表面に吸着する分子状汚染物質の吸着挙動を表面状態および衝突速度の点から評価した.半導体デバイス製造環境を考慮し,吸着汚染物質に低分子シロキサン(D5),フタル酸エステル類のフタル酸ジブチル(DBP),フタル酸ジオクチル(DOP),イソプロピルアルコール(IPA)を選択した.Siウェハ表面状態として3種類のモデルを作成し,1モデルについてSiウェハ表面に水分子がある場合と無い場合の挙動を解析した.Siウェハ表面に水分子が存在する場合,汚染物質は吸着しやすくなることが示された.
