低温・高磁場で高臨界電流・高耐ひずみ特性を有する高温超伝導薄膜実現に向けた人工ピンニングセンターの探索

抄録

　BaHfO₃ を人工ピンニングセンターとして SmBa₂Cu₃O_y（SmBCO）超伝導薄膜に添加することにより、低温、高磁場での臨界電流が飛躍的に向上できるという報告がある。この材料を高磁場超伝導磁石に応用するためには、高ひずみ耐性も必要になる。本研究では、BaHfO₃ の添加の有無による SmBCO 薄膜の残留ひずみ、変形挙動を放射光ひずみ測定により観察し、臨界電流のひずみ依存性と比較した。その結果、SmBCO 膜の格子ひずみ変化では臨界電流のひずみ依存性は説明できないことが明らかになった。