抄録
InGaN 薄膜の価電子帯上端の裾構造（Urbach energy:Eu）とインジウム（In）原子の局所構造との相関を調べるためにＸ線吸収微細構造（XAFS）測定を行った。直接成長が困難であるため GaN、サファイア、Si(111) 基板上に GaN 薄膜を成長させた後に InGaN 薄膜を有機金属化学堆積法で成長させた。XAFS から求めた In 原子の第２近接原子（In-In/Ga）の動径分布強度から、それぞれの基板上の GaN 薄膜の結晶性が劣化するとともに In 原子が凝集しやすかった。また、In 組成が 10% を超えたあたりから In 原子が凝集しやすいことが示された。光熱偏向分光法で求めた Eu の値が In 組成の増加とともに大きくなることから Eu が In 原子の凝集の程度を表しているのではないかと考えられる。
