弾性または非弾性散乱オージェ電子計測によるＸ線吸収微細構造

抄録

　本研究では、GaN/Ga₂O₃ 構造の試料について、オージェ電子およびそれ由来のバックグラウンド電子（非弾性散乱オージェ電子）強度のエネルギー依存性を計測し、Ｘ線吸収微細構造（XAFS）測定を実施した。得られたスペクトルの成分分離の結果、計測する運動エネルギーの減少にともない検出深度は増加し、1000 eV エネルギー損失した非弾性散乱オージェ電子の計測では、37.5 nm の Ga₂O₃ 層の成分は約３割となり、下層の GaN 層の情報が中心に得られることを確認した。