放射光マイクロビームＸ線回折による化合物半導体の転位分布測定

抄録

　化合物半導体における単一転位のその場観察技術の確立に向けて、放射光マイクロビームによるＸ線回折の面内マッピングを実施した。その結果、GaN 基板においては貫通転位、InGaAs/GaAs ヘテロエピタキシャル薄膜においてはミスフィット転位と思われるＸ線回折強度の面内分布が得られた。今後は同測定技術をその場観察に応用するため、集光光学系および結晶成長装置の温度安定性の確保等のさらなる検討が必要である。