4D-CT によるシリコンのファセット-デンドライト遷移過程の三次元その場観察

抄録

　本研究では時間分解の放射光Ｘ線 CT を用いて、シリコン融液中における平滑界面からファセット成長へ、さらにはデンドライト成長へと遷移する素過程のその場観察を試みた。その結果、従来の二次元的な観察では解釈できなかった、<112> 方向に成長するＨ型のファセットデンドライトの時間発展が明らかとなった。