Ｘ線イメージングを用いたシリコンのファセットおよびデンドライト形成過程のその場観察

抄録

　本研究では放射光Ｘ線イメージングを用いて、シリコン融液中における平滑界面からファセット成長へ、さらにはデンドライト成長へと遷移する素過程のその場観察を試みた。その結果、異材界面に到達する前の、融液内での結晶成長の素過程をとらえることに成功した。また、 <112> 方向に成長するファセットデンドライトに、成長速度の異なる二つのモードが存在することが明らかとなった。