イオン注入したGaN中のSiの局所構造解析

抄録

窒化ガリウムにイオン注入したSiは、高温アニール処理によって活性化するが、イオン注入したMgは全く活性化しない。活性化状態は注入元素の局所構造に依存すると考えられるが、原子レベルで調査した報告はなく、そのメカニズムは未解明である。今回、我々はBL27SUにて蛍光XAFS法を使って、イオン注入したSiの局所構造を調査した。その結果、高温アニール処理によってSiがGaサイトに入ることで高い活性化状態が実現することが分かった。