部分蛍光収量測定による窒化物半導体中MgドーパントのXAFS解析

抄録

GaN中Mgドーパントの局所構造を解析するため、SPring-8のBL27SUを用いた軟X線XAFS測定を実施した。試料はMg:GaN（0.4 μm）/GaN（1.6 μm）/Sapphireで、Mg濃度は2E20程度である。GaN中MgのXAFS測定における大きな妨害要因である、マトリックスからのGa_L線（1.10keV）の影響を抑えるため、エネルギー毎に蛍光スペクトルを測定し、ピークフィッティングによりMg_K線（1.25 keV）のみの信号を取り出した。この結果、Mgの明確なEXAFS振動を得る事に成功するとともに、FEFFによるMg:GaNのシミュレーション計算結果と比較したところ、Mgドーパントは主としてGaサイトに存在している可能性が高い事を明らかにした。