Cuをドープしたトポロジカル絶縁体Cu_xBi₂Se₃の結晶構造

抄録

バルクとしては絶縁体であるが、表面のみが金属状態を有するトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃にCuをドープすると、約3 Kにおいて超伝導が発現する。ドープされたCuはBi₂Se₃層間に挿入されると考えられているが、Cuがどのサイトを占有するかを解析した報告はない。本課題では、粉末放射光X線回折により結晶構造解析を行い、Cuが占有するサイトを調べることを目的とした。その結果、CuがBi₂Se₃層間に挿入されるが、Cu仕込み量 x が0.15以上になるとそれだけでは説明できない振る舞いが見られた。