半導体パッケージ基板用樹脂の熱硬化過程における残留応力その場観察

抄録

半導体パッケージ基板用樹脂/銅箔界面の残留応力について、基板樹脂の熱硬化過程におけるその場観察を行った。加熱試料台を用い、Cu(331)面のX線回折プロフィール変化を側傾法により測定し、sin²ψ法により熱時の残留応力を算出した。その結果、熱硬化過程における基板樹脂/銅界面の残留応力その場観察に成功し、樹脂の熱膨張や収縮、硬化収縮挙動を残留応力変化の観点から解明した。これによりシリカフィラー含有量（FC）の多い樹脂の方が少ない樹脂と比較して熱時の残留応力変化が小さいことが明らかとなった。