ラジカル窒化処理で形成したSiON/SiC構造の窒素の深さ方向分布の角度分解Ｘ線光電子分光法による解明

抄録

放射光を用いた角度分解光電子分光法により、クリプトン窒素プラズマ（Kr : N₂ = 97 : 3）を用いたラジカル窒化処理で形成した SiON/4H-SiC の化学構造と窒素の深さ方向分布を調べた。N 1s 光電子スペクトルは、C面では、結合エネルギー 397 eV (LBE)、399 eV (MBE)および 401 eV (HBE)の３つの成分からなり、一方、Si面では、MBEとHBEの２つの成分のみであった。また、C面のMBEに関連する窒素原子は、SiO₂ 中に分布して存在するのに対し、C面のHBEとLBE、Si面のHBEとMBEに関係する窒素原子は、SiON/SiC界面に存在することを明らかにした。