X線吸収微細構造法を用いた窒化物系混晶半導体 Al_0.82In_0.18N における In 原子近傍の局所構造解析

抄録

窒化物系面発光レーザの導電性分布ブラック反射鏡材料として期待されている窒化物系混晶半導体 Al_0.82In_0.18N 中の In 原子近傍の局所構造を、X線吸収微細構造法により解析した。その結果、Al_0.82In_0.18N を構成する In-N と Al-N のボンド長が 14％ も異なることで相分離を起こし易いにもかかわらず、In 原子は理想的な窒化物半導体における III 族 Ga 原子を置換していることが分かった。