放射光高平行度X線回折によるSiウェーハ表層の結晶歪解析

抄録

半導体基板である Czochralski Silicon（CZ-Si）ウェーハにおいて金属不純物のゲッタリング効果が知られる酸素析出物の制御が重要である。一般的な析出形成手法の anneal treatment（AT）は表層の格子間酸素が外方拡散し格子歪みが生じる。熱酸化する rapid thermal oxidation（RTO）は格子間酸素の濃度勾配の抑制に期待されている。そこで、高平行度X線回折によりウェーハ表層の結晶性評価を実施した。サンプルのドリフト現象により格子定数の決定精度が得られなかった。