シリコントンネルトランジスタの性能を向上する等電子トラップ不純物の局所構造解析

抄録

　シリコントンネルトランジスタのオン電流を増大させる方法として、Al-N 複合不純物による等電子トラップを PN 接合中に導入する技術がある。理論的には Al と N とがペアになる局所構造が予言されているが、実験的には明らかではない。そこで本実験では Si 中の Al の局所構造をエックス線吸収微細構造(XAFS)測定によってその確認を試みた。Al に由来する XANES スペクトルが得られたが、局所構造解析のためにはより高濃度の Al-N 複合不純物の導入が必要である。