マイクロビームＸ線回折および蛍光Ｘ線マッピングによる GaInN/GaN 多重量子井戸の解析

抄録

　レーザダイオードや発光デバイスに用いられる GaInN/GaN 多重量子井戸の格子ひずみ及び In 組成分布を、放射光マイクロビームを用いたＸ線回折および蛍光Ｘ線測定により解析した。得られた分布と蛍光顕微鏡観察により取得した発光強度分布と比較したが、明確な相関は得られなかった。この原因として、多重量子井戸構造では複数の量子井戸の情報が積層方向に平均化されるため、分布が過小評価されている可能性が示唆された。