SPring-8/SACLA利用研究成果集
Online ISSN : 2187-6886
Section B
X線吸収微細構造とX線回折による GaInN/GaN 単一量子井戸の解析
稲葉 雄大水島 啓貴工藤 喜弘
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ジャーナル オープンアクセス

2021 年 9 巻 4 号 p. 223-228

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抄録
 発光デバイスに用いられる GaInN/GaN 量子井戸の In 凝集と発光特性の関係を、X線吸収微細構造解析、X線回折、フォトルミネッセンス、蛍光顕微鏡観察を組み合わせて解析した。発光波長が青~黄色帯の In 組成の c 面 GaN 基板上の単一量子井戸を解析したところ、発光波長が長波長化するに従って、発光スペクトルの半値幅、空間的な発光強度むらが増加することは確認できたが、In 凝集の状態を特定することは出来なかった。
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