高速 4D-CT によるシリコンのファセット-デンドライト遷移過程の三次元その場観察

抄録

　本研究では、ピンクビームを用いた高速 4D-CT 観察により、シリコン融液中における平滑界面からファセット成長、さらにデンドライト成長へ至る過程を実時間かつ三次元的に可視化した。観察の結果、<110> および <112> 方向に成長するファセットデンドライトの発現・発達過程を明らかにするとともに、両方位において H 型の板状構造が共通して形成されることを確認した。