HfO₂ をゲート絶縁膜とした IGZO 薄膜トランジスタの HAXPES 分析

抄録

　原子層堆積法により成膜した HfO₂ は薄膜トランジスタ（TFT）のゲート絶縁膜として利用される。HfO₂ の酸化剤の種類によって IGZO-TFT の閾値電圧の値が変化することがわかっており、この理由を明らかにするために深さ分解 HAXPES を利用した。TFT を模擬した積層膜サンプルを作製し非破壊で分析した。H₂O 酸化した HfO₂ 中の -OH 結合などから発生した水素が IGZO 中に拡散し、自由電子を生成したことが、閾値電圧の負側へのシフトを引き起こしたことが示唆された。