噴水検出器による半導体pn接合のエネルギー分解二次電子像

抄録

我々は、アウトレンズ型走査電顕（SEM）用低エネルギー二次電子検出器を開発し、噴水検出器と名づけた。これを用いてSiCのpn接合を観察し、0から2 eVの二次電子ではp領域が暗く、それ以上の高エネルギーでは明るくなることを見出した。この結果と、p,n領域のスペクトルを比較して、二次電子がバンドの曲がり分だけシフトしていることを確認した。この手法により、新しいSEM観察法が開拓されることを期待する。