初期過酸化相成長後の基板バイアス印加スパッタ法によるSi基板上VO2薄膜の配向成長

松岡 耕平; 沖村 邦雄

doi:10.14886/sssj2008.2018.0_143

抄録

VO₂は68℃付近で絶縁体-金属相転移が生じ, ４～５桁の抵抗値変化が得られるため, Si基板上のVO₂薄膜はCTRサーミスタや光変調器への応用が期待できる. しかし, VO₂と格子整合を有しないSi基板上では配向成長しないため, 急峻で大きな抵抗値変化を得ることは難しい. 我々は成膜中において初期過酸化相成長後に基板バイアスを印加することで, Si基板上VO₂薄膜の配向成長に成功したので報告する.

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