基板バイアススパッタ法による導電性TiN層上への酸化バナジウムの堆積と発振特性評価

青戸 智寛; 戸部 龍太; 沖村 邦雄

doi:10.14886/sssj2008.2018.0_144

2018年日本表面真空学会学術講演会

セッションID: 1P36S

DOI https://doi.org/10.14886/sssj2008.2018.0_144

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主催: 公益社団法人日本表面真空学会

11月19日（月）

基板バイアススパッタ法による導電性TiN層上への酸化バナジウムの堆積と発振特性評価

*青戸智寛, 戸部龍太, 沖村邦雄

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抄録

近年, 二酸化バナジウム (VO₂) の絶縁体-金属相転移を利用したニューロン素子の研究が盛んに行われている. 低消費電力化のためには, VO₂/導電層の積層構造を作製する必要がある. 本研究では導電層にTiNを採用し, 基板バイアス印加スパッタ法を用いてTiN上に酸化バナジウムを堆積した. 作製した積層構造からは, 10時間以上の持続した自励発振現象が得られ, その安定性を証明した.

責任著者(Corresponding author)

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