円偏光二次元光電子回折法によるトポロジカル超伝導体CuドープBi₂Se₃のドーパントサイトの観察

抄録

トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃は、Cuをドープすると4K以下でトポロジカル超伝導状態を発現することが知られている。しかし、表面付近の結晶性の不均一性から、超伝導の発現に重要な結晶表面付近におけるCuのドーパント位置の詳細は明らかにされていない。そこで、本研究では左右円偏光を用いた二次元光電子回折法による構造解析により、結晶表面中のCuドーパントサイトの特定を試みた。詳細はポスター発表にて述べる。