AAOテンプレートを利用したAu/NiO/Auナノワイヤの作製と評価

抄録

AAOテンプレートを利用したAu/NiO/Auナノワイヤの作製と評価 近年、ReRAM（Resistance Random Access Memory）が高速性、高記録密度、不揮発性、消費電力などの利点からユニバーサルメモリとして大きな注目を集めている。AAOテンプレートを利用して作製した微細な金属酸化物ナノワイヤを用いることにより、超高記録化が可能となる。今回Au/NiO/Au（直径70nm）ナノワイヤを作製し、電気的特性についての評価を行ったので報告する。