FIBミリングにより製作したp-Si単一陰極からの電界放射の温度依存性

抄録

FIBミリングによりp-Si単一陰極を製作した。この陰極からの電界放射の温度依存性を調べた。その結果、放射された電子の活性化エネルギーは0.26eVであった。電子放射には表面準位が関与していると考えられる。