二次イオン化率変化に与えるTiの化学状態　-Si/Ti多層膜に対するSIMS/SNMS分析-

抄録

従来の二次イオン質量分析法（SIMS）では、マトリックス効果により、深さ方向分析の定量測定に難があった。そこで、共鳴多光子イオン化によるスパッタ中性粒子分析法（SNMS）を用いてSi/Ti多層膜の深さ方向分析を行い、マトリックス効果の影響の小さい定量測定が可能なことを示した。さらに、SIMS/SNMSおよびXPSによる検討により、Si/Ti界面におけるTiSi2の存在がマトリックス効果の原因となりうることが判明したので、これについて報告する。