走査トンネル顕微鏡によるSiC表面上のグラフェン形成過程に関する研究

抄録

SiC基板を真空中で通電加熱するとグラフェンが形成されることが知られている。グラフェンはSiより高い電子移動度を持つことから、デバイスへの応用が期待され盛んに研究が行われている。しかし少しの格子欠陥で電子移動度は著しく低下しているのが現状である。そこで我々はSTMとLEEDを用いてSiC表面のグラフェン形成過程を明らかにし、格子欠陥のないデバイス化に向けたグラフェンを選択成長させることを目的として研究を行った。