主催: 日本真空協会、社団法人 日本表面科学会
九工大工
宇部高専
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Si及びガラス基板上へのCVD法を用いたCNT成長において、バッファ層の膜厚が及ぼす影響について調べた。バッファ層にはAl、Ni、Co、Tiを使用し、これらの膜厚を変化させることによってCNTの成長が変化するのか観測した。又同条件のバッファ層をSi基板、ガラス基板上に作製し、基板によるCNT成長の変化についても比較した。
表面科学講演大会講演要旨集
日本表面真空学会学術講演会要旨集
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