3C-SiC(111)極薄膜上エピタキシャルグラフェン形成過程のLEED／PES解析

抄録

Si(111)基板上SiC(111)薄膜上のグラフェン形成過程と表面電子構造をLEED及びPESで観察した。6H-SiC(0001)バルク基板上と同様、形成過程は√3×√3-R30→6√3×6√3-R30→グラフェン-1×1と変化し、表面電子構造もグラフェン層数に依存してK点でバンドギャップが発生した。SiC薄膜上グラフェンは原理的にSiCバルク基板上と同程度まで高品質化できると示唆される。