グラフェン/10族金属コンタクト界面の化学結合

抄録

近年、ポストシリコン材料として、高移動度特性を有するグラフェンに大きな期待が集まっている。そのFET特性を向上させる際、グラフェン/金属電極オーミックコンタクトは重要な検討要素となっている。これまでのところTiが最も広く使われているが、電気化学分野においてはPt/Cの組み合わせは非常に一般的である。そこで本発表では、Ptをはじめとした10族元素(Ni, Pd)を用いた場合の電極コンタクトを考察した。