フォーミングフリーReRAMにおけるリセット電流と初期抵抗値の普遍的な関係

北村 健一; 木下 健太郎; 土橋 一史; 依田 貴稔; 岸田 悟

doi:10.14886/sssj2008.30.0.391.0

真空・表面科学合同講演会
（第30回表面科学学術講演会・第51回真空に関する連合講演会）
日本真空協会・社団法人日本表面科学会

セッションID: 6Bp-06

DOI https://doi.org/10.14886/sssj2008.30.0.391.0

会議情報

主催: 日本真空協会、社団法人日本表面科学会

11月6日（土）

フォーミングフリーReRAMにおけるリセット電流と初期抵抗値の普遍的な関係

*北村健一, 木下健太郎, 土橋一史, 依田貴稔, 岸田悟

著者情報

会議録・要旨集フリー

詳細

抄録

ReRAMの実用化にはフォーミングと呼ばれる絶縁破壊に類似の前処理動作を無くし, リセット電流を低減する必要がある. 本研究では, フォーミングを必要としないリセットスタート素子に対してリセット電流の初期抵抗依存性を評価した. その結果, リセット電流は膜厚や成膜温度に依存せず初期抵抗値に逆比例することが明らかになった.

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）