窒化ハフニウム薄膜の仕事関数と電子放出特性

抄録

窒化ハフニウム微小電子源の昇温時の電子放出特性を理解する目的で、窒化ハフニウム薄膜の加熱前後の仕事関数の値を測定した。仕事関数は真空中で加熱すると低下し、その後室温に戻してもその値を維持した。その後再度昇温しても仕事関数に変化は見られなかった。この変化は電子放出特性の温度依存性と対応しており、電子放出特性の変化は主として仕事関数の変化によるものと理解することができる。