メモリ層と電極が共にGaドープZnOで構成されたフレキシブル透明抵抗変化メモリ(All-GZO-FT-ReRAM)の素子特性

奥谷 匠; 木下 健太郎; 田中 隼人; 檜木 利雄; 岸 啓; 中原 子竜; 大観 光徳; 岸田 悟

doi:10.14886/sssj2008.30.0.393.0

真空・表面科学合同講演会
（第30回表面科学学術講演会・第51回真空に関する連合講演会）
日本真空協会・社団法人日本表面科学会

セッションID: 6Bp-08

DOI https://doi.org/10.14886/sssj2008.30.0.393.0

会議情報

主催: 日本真空協会、社団法人日本表面科学会

11月6日（土）

メモリ層と電極が共にGaドープZnOで構成されたフレキシブル透明抵抗変化メモリ(All-GZO-FT-ReRAM)の素子特性

*奥谷匠, 木下健太郎, 田中隼人, 檜木利雄, 岸啓, 中原子竜, 大観光徳, 岸田悟

著者情報

*奥谷匠
鳥取大学工学研究科情報エレクトロニクス専攻
木下健太郎
鳥取大学工学研究科情報エレクトロニクス専攻
鳥取大学工学部付属電子ディスプレイ研究センター
田中隼人
鳥取大学工学研究科情報エレクトロニクス専攻
檜木利雄
鳥取大学工学研究科情報エレクトロニクス専攻
尾池工業株式会社　フロンティアセンター
岸啓
鳥取大学工学研究科情報エレクトロニクス専攻
中原子竜
鳥取大学工学研究科情報エレクトロニクス専攻
大観光徳
鳥取大学工学研究科情報エレクトロニクス専攻
尾池工業株式会社　フロンティアセンター
岸田悟
鳥取大学工学研究科情報エレクトロニクス専攻
尾池工業株式会社　フロンティアセンター

会議録・要旨集フリー

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抄録

私達はこれまでにrfプラズマアシストdcスパッタ法の導入によりGaドープZnO(GZO)電極/GZOメモリ層/GZO電極/プラスチック基板構造を持つ透明フレキシブル抵抗変化メモリ(FT-ReRAM)の作製を可能とした. 本研究では, FT-ReRAMにおけるデータ保持の曲げ耐性やパルス応答特性等の基本特性を調査し, 曲率半径cmでのデータ保持やパルス幅500nsでの抵抗変化等を確認した.

責任著者(Corresponding author)

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