オーダリング現象によるInGaP/GaAsヘテロ接合界面物性への影響

抄録

MOCVD法で結晶成長を行ったInGaPは、オーダリング現象によりバンドギャップが減少することが知られている。しかしオーダリング現象によるInGaP/GaAsヘテロ接合界面への影響は未だ不明な点も多い。本研究ではShubnikov-de Haas振動を観測することにより、オーダリング現象による界面物性への影響について調べた。