Si(111)√3×√3-Mn表面RHEEDパターンの作製条件依存性：歪みおよびドメインサイズ

抄録

Ｓｉ（１１１）√３×√３－Ｍｎは強磁性を有するＢ２０－ＭｎＳｉ薄膜系である。そのキュリー温度Ｔｃは歪みに依存してバルク（２９．５Ｋ）より高くなる（４３Ｋ）との報告がある。通常作製される√３構造はＲＨＥＥＤでストリークでありドメインは小さい。広いドメインで歪みを保持する薄膜を作製できれば、４３Ｋよりも高いＴｃが期待できる。我々はそのような薄膜（√３スポット）の作製条件を見出したのでその詳細を報告する。