高温Si(111)表面酸化における相転移のリアルタイム光電子分光観察

抄録

本研究では、リアルタイム紫外線光電子分光法を用いて、高温でSi(111)表面酸化におけるラングミュア吸着から二次元島成長への相転移を調べた。ラングミュア吸着においてSi(001)表面では簡単な指数関数で被覆率を記述できるが、Si(111)表面では二次元島成長のための自己触媒モデルが必要なことが分かった。相転移温度近傍でのSiO脱離の役割を詳しく検討した。