O2の並進運動エネルギーによるGe(111)-c(2×8)室温表面の酸化促進と生成酸化物の相関

抄録

Ge低指数面の中で電子移動度に優れる(111)は、電界効果トランジスタのチャンネルとして検討され、その酸化機構の解明は重要である。本研究では異なるE_kによる表面酸化物の違いを放射光XPSにより調べた。E_k増加による酸素吸着量増加とそれに対応したGeの酸化成分の変化を発見した。吸着酸素の増加がGe³⁺形成に対して1.0 eVにエネルギー閾値を持つ活性化反応に起因することが分かった。