グラファイト上のチオフェン吸着に関するヘテロ原子ドーピング効果

抄録

吸着脱硫に関するヘテロ原子ドーピング効果を調べるため、グラファイトにP及びNドーピングを行い、チオフェンの吸着特性変化を調べた。イオンビームによるドーピング後800℃でアニールし、チオフェンを吸着させた。Ar+イオン照射した試料についても比較した結果、Ar+イオン照射、及びNドーピングではチオフェンの吸着特性がほとんど変化しなかったが、Pドーピングでは10倍以上吸着能が向上することを見出した。