マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡を用いたサブアトミック領域の表面状態分析

抄録

マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡（μPH-FIM）にパルス計数計測システムを組み込んだ装置を用いて、W(112)面、(013)面、(011)面のステップ端原子位置からの電界イオン生成率の試料印加電圧とHeガス圧依存性を調べた。イオン化領域の大きさを考慮した電界イオン化モデルに基づいて解析した結果、各面の原子位置における仕事関数、非占有状態数、イオン化領域の直径など表面状態に関わる分析が可能である事が分かった。