in situ XPSを用いたGeO2/GeとSiO2/Siの濡れ性比較

抄録

GeO₂/Ge(100)構造は、次世代トランジスタの鍵となる絶縁膜として期待されている。しかし一方で、GeO₂は水溶性や透水性という特異な性質を有するため、大気暴露によっても変質する可能性が示唆されている。本発表では、放射光を光源としたその場XPS測定により、GeO₂表面の濡れ特性（吸着水厚さ、GeO₂膜の電気的性質）を調査した。また、得られた結果をより単純なSiO₂/Si系の場合と比較した。