極低角度入射ビームを用いたオージェ深さ方向分析による極薄膜多層試料の評価

抄録

半球型電子分光器を搭載したオージェ電子分光装置では，高傾斜試料ホルダーを用いると装置のジオメトリ特性との関係から極低角度電子・イオン入射オージェ深さ方向分析が可能である。本発表では，本計測法により実用材料（Si/AlO/HfO2/SiO2とHfO2/AlO/Si/SiO2）の構造を評価した結果を報告する。